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PD - 95573
IRFZ48VSPbF
l
Advanced Process Technology
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
D
V DSS = 60V
l
l
l
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
G
R DS(on) = 12m ?
l
l
Optimized for SMPS Applications
Lead-Free
S
I D = 72A
Description
Advanced HEXFET ? Power MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve extremely low
on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast
switching speed and ruggedized device design that HEXFET power
MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely
efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The D 2 Pak is a surface mount power package capable of
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power
capability and the lowest possible on-resistance in any existing
surface mount package. The D 2 Pak is suitable for high current
applications because of its low internal connection resistance and
can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.
Absolute Maximum Ratings
D 2 Pak
Parameter
Max.
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
72
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
V GS
E AS
I AR
E AR
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
Repetitive Avalanche Energy ?
Peak Diode Recovery dv/dt ?
51
290
150
1.0
± 20
166
72
15
5.3
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf?in (1.1N?m)
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
1.0
R θ CS
R θ JA
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
0.50
–––
–––
62
°C/W
www.irf.com
1
07/19/04
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